二管的工作原理

    晶體二管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。
    當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。
    當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。
當外加的反向電壓高到程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度臨界值產生載流子的過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二管的擊穿現象。

二、二管的類型

    二管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二管（Ge管）和硅二管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二管、整流二管、穩(wěn)壓二管、開關二管等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二管、面接觸型二管及平面型二管。點接觸型二管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個“PN結”。由于是點接觸，只允許通過較小的電流（不過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。
    面接觸型二管的“PN結”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。
    平面型二管是一種的硅二管，它不能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定，多用于開關、脈沖及高頻電路中。