聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)
型號:Crossbeam340/550
Crossbeam340/5 SEM的探測能力
低電壓電子束分辨率30%。
無論是二維表面成像或三維重構(gòu),蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優(yōu)異的表現(xiàn)。借助于Tandem decel在樣品上施加電壓,Gemini光學(xué)系統(tǒng)可以在1kV下獲得1.4nm的分辨率,從而對任意樣品均可獲得優(yōu)質(zhì)的圖像。可通過一系列的探測器表征您的樣品。通過的Inlens EsB探測器,可獲取純的材料成分襯度信息。表征不導(dǎo)電樣品可以不受荷電效應(yīng)的影響。
您的FIB樣品的測試加工效率
通過FIB智能的刻蝕策略,其材料移除速率可40%。
在鎵離子類型的FIB-SEM中采用了大離子束束流。使用100nA的離子束束流可顯著節(jié)約時(shí)間,同時(shí)具有優(yōu)質(zhì)的FIB束斑形狀,從而獲得高分辨率。得益于智能的FIB掃描策略,移除材料時(shí)且精準(zhǔn)。可自動批量制取樣品,例如截面,TEM樣品薄片或任何使用者自定義的圖形。
在FIB-SEM分析中體驗(yàn)優(yōu)異的三維空間分辨率
體驗(yàn)整合的三維能譜分析所帶來的優(yōu)勢
可使用蔡司Atlas
5軟件擴(kuò)展您的Crossbeam,它是一個針對快速而準(zhǔn)確的三維斷層成像的軟硬件包。使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過程中進(jìn)行能譜分析蔡司Crossbeam將Gemini電子束鏡筒和定制的聚焦離子束鏡筒結(jié)合起來,從而獲得高與速度。因此FIB-SEM的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測器,探測深度小于3nm,可獲得表面敏感的、材料成分襯度圖像。



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